三年翻倍：消息称 SK 海力士 2026 年底 DRAM 内存月度晶圆投片量将达 62 万
10月03日0评
因应上游 DRAM 涨价潮，树莓派针对部分 4GB / 8GB 内存产品提价 5~10 美元
10月02日0评
集邦：金士顿以 66% 市占再度蝉联 2024 年全球第一大 DRAM 内存模组厂
三星半导体：CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见
09月29日0评
6.4 → 12.8 Gbps！AMD 提出 HB-DIMM 新架构，DDR5 内存性能直接翻倍
09月27日0评
集邦：预估 2025Q4 非 HBM 一般型 DRAM 内存价格环比增长 8~13%
09月24日0评
美光 HBM4 / HBM4E 内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片
内存频率可达 10400 MT/s，华硕晒 B850M AYW OC W 主板超频实力
09月22日0评
存储“涨声一片”：消息称三星电子上调 2025Q4 移动端 DRAM / NAND 产品合约价
集邦预计：英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导，若调高速度要求有利于三星
09月19日0评
新型 Phoenix 攻击曝光：绕过 DDR5 内存防护，2 分钟拿下 root 权限
09月16日0评
日本经济产业省宣布向美光广岛 DRAM 内存工厂授予最多 5360 亿日元补贴
09月14日0评
消息称美光全面暂停 DDR4/5 与 LPDDR4/5 内存报价，后续可能调涨 2~3 成
技嘉推出 AI TOP CXL R5X4 扩展卡，可为工作站系统添加至多 512GB 内存
09月05日0评
消息称 SK 海力士撤回 DDR4 内存今年停产计划，计划提升无锡产线产能
09月03日0评
集邦：DRAM 内存产业 2025Q2 营收环比增长 17.1% 至 316.3 亿美元
09月02日0评
澜起科技推出 CXL 3.1 内存扩展控制器 (MXC) ，芯片进入客户送样阶段
09月01日0评
消息称英伟达 2026Q1 完成 Rubin GPU 所需 HBM4 12Hi 内存最终质量测试
08月26日0评
科学家实现沉积工艺突破，成功开发 120 层高密度 3D DRAM 结构
宜鼎展示 DDR5-12800 MRDIMM 内存样品，规划 32GB、64GB 和 128GB 三种型号
08月23日0评
